2026-05-15 02:55:20 来源:央视新闻(CCTV News) 作者:视听中心

IT之家 3 月 16 日消息,当地时间 3 月 13 日,据韩媒 The Chosun Daily 报道,三星电子半导体(DS)业务今年预计将创下历史最好业绩。不过,公司内部已经开始担心,当前由存储芯片供应紧张带来的繁荣可能只会持续一到两年,之后市场可能再度进入下行周期。随着全球 AI 基础设施投资迅速增加,存储芯片需求预测的不确定性也在上升。行业曾出现过因误判需求而过度扩产的情况,随后市场转冷,企业承担巨额亏损。行业人士透露,三星电子 DS 部门管理层正在讨论一种情形:全球存储芯片市场可能在 2028 年前后出现转折。因此,公司一方面希望抓住 AI 带来的高利润机会,另一方面也在努力提升运营效率,避免再次出现过度投资。三星正在扩大 HBM 和先进 DRAM 工艺投资,同时也在研究应对需求突然放缓的方案。业内分析认为,AI 带动的存储需求变得更加波动,市场周期也明显缩短,使得确定产能规模和投资节奏更加困难。短期来看,扩大 DRAM 和 HBM 供应仍是行业共识。IT之家从报道中获悉,英伟达、AMD 和博通等科技公司对 HBM 需求强劲,这种需求预计至少会持续到明年。目前三星和 SK 海力士已有超过一半的 DRAM 销售来自 HBM,随着更多产能转向 HBM,智能手机、PC 和服务器使用的传统 DRAM 开始出现供应紧张。NAND 闪存市场的风险可能更大。如果当前扩产速度持续,供应过剩可能比 DRAM 更早出现。DRAM 市场主要由三星、SK 海力士和美光三家公司控制,在 NAND 市场,也有铠侠、长江存储等更多竞争者。随着技术和产能提升,NAND 价格竞争近年来明显加剧,三星和 SK 海力士也难以完全避免亏损。一位熟悉三星情况的行业人士表示,去年夏天,三星和 SK 海力士都没有预料到当前这轮 AI 带动的市场繁荣,显示出半导体市场预测已经变得越来越困难。该人士还表示,正因如此,三星的“经营支持”团队正在围绕更严格的市场验证和预测来制定投资计划。 (function(){ var adScript = document.createElement('script'); adScript.src = '//d1.sina.com.cn/litong/zhitou/sinaads/demo/wenjing8/js/yl_left_hzh_20171020.js'; document.getElementsByTagName('head')[0].appendChild(adScript); })();

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